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聚焦!中恒微半导体出席2023年第二届功率半导体器件及应用创新高峰论坛

时间:2023-11-06


11月2日-3日,由半导体在线主办的2023年第二届功率半导体器件及应用创新高峰论坛在合肥召开。中恒微半导体受邀携功率半导体模块全系产品,共同参与此次盛会。


本次论坛汇聚了功率半导体器件领域的专家学者、研究团队及各界企业代表、相关单位技术人员共500余人出席会议。共同探讨MOSFET、IGBT、SiC/GaN等器件设计、制造、封测以及在新能源、轨道交通、电网等应用,旨在提供协同创新的高质量交流平台,推动国内功率半导体行业的学术研究、技术进步和产业发展。论坛现场更集中展示了功率半导体器件领域最新技术和产品。


论坛现场,中恒微凭借着在功率模块领域多年的技术研发和市场经验积累,带来的新能源汽车功率模块、光伏储能功率模块、工业功率模块、SiC系列功率模块一经亮相,便受到现场嘉宾的聚焦关注。展出的新能源汽车功率模块具备优良的电气性能,电压范围涵盖650V-1200V,电流范围涵盖200A-1000A,采用Pinfin底板、超声波焊接、铜线键合、内部集成NTC等工艺,具备低开关损耗、低饱和压降、低杂散电感等特点。


另外,光伏和储能功率模块电压范围涵盖650V-1700V,电流范围涵盖100A-800A,采用铝线键合、超声波焊接、端子自动插接等制造工艺,并结合高导热率的Si3N4覆铜陶瓷基板,具备出色的可靠性、散热能力、功率密度和导通电阻。

同时展出的工业功率模块电压范围涵盖650V-1700V,电流范围涵盖15A-1400A,采用焊片焊接、铝线键合、超声波焊接、多芯片并联均流等工艺,具备高功率密度、高短路耐量、低饱和压降、开关速度快等特点。

而此次参展最受关注的是SiC系列功率模块,产品的电压范围涵盖1200V-1700V,电流范围涵盖300A-600A,采用纳米银烧结、铜线键合、Pinfin底板、集成NTC等工艺,具备高载流能力、低杂散电感、低开关损耗、低饱和压降、低导通电阻等特点。


此次高峰论坛,中恒微半导体不仅提升了品牌形象,也深化了与业界的交流与合作。未来,中恒微半导体将继续秉承“驱动创新、工匠精神”的核心价值观,加大研发投入,提升产品技术水平,为客户提供更优质的产品和服务,携手更多客户打造标杆产品,为推动中国功率半导体产业的跨越式发展贡献中恒微力量。



合肥中恒微半导体有限公司

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