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中恒微推出Drive ED3 （EconoDUAL™ 3）封装的SiC功率模块，使用平面栅（planer gate）SiC MOSFET芯片技术，在高温下具有优异的RDS（ON）表现，标准封装具有良好的适配性。能够提供更高的可靠性、更高的转换效率、更高的频率应用以及更大的功率密度。主要应用于新能源汽车、储能变流器、电能质量、UPS等领域。可以替换市场上同类型、同等级模块，是中/大功率应用市场的可靠选择。
产品型号
2E005E120T1P 2E003E120T1P
2E003D120T1P 2E002E120T1P
2E002D120T1P 2E003E120T2P
2E003D120T2P 2E002E120T2P
2E002D120T2P 2E004E170T1P
2E003E170T1P 2E002E170T1P
2E005E200T1P
拓扑结构：Half-Bridge
电压范围：1200V/1700V/2000V
电阻规格：1.8mΩ~5.3mΩ
产品特点
01
纳米银烧结
02
集成NTC温度传感器
03
功率端子超声波焊接
04
低开关损耗
05
低导通电阻
06
高功率密度
07
高开关速度
08
Tvj op=175°C
应用优势
01
高频应用
02
高可靠性
03
高转换效率
04
降低成本，更高的经济效益
应用领域
01
新能源汽车
02
储能变流器
03
电能质量
04
不间断电源(UPS)
05
电机控制
