集微网消息，近年来，在国际节能环保的大趋势下，新能源汽车、变频家电、新能源发电等产业发展迅速，工业控制及电源行业市场也逐步回暖。IGBT是变频器、工业控制、电源行业以及新能源汽车的核心元器件，下游市场的繁荣对IGBT需求逐步扩大，IGBT市场得到高速增长。
据市场研究机构IC Insights指出，在各类半导体功率器件组件中，未来增长强劲的产品将是MOSFET与IGBT模块。除增长强劲外，IGBT也是含金量最高的功率器件。
由于IGBT行业存在技术门槛较高、人才匮乏、市场开拓难度大、资金投入较大等困难，国内企业在产业化进程中一直进展缓慢，随着全球制造业向中国的转移，我国功率半导体市场占世界市场的50%以上，是全球最大的IGBT市场，但IGBT产品严重依赖进口，在中高端领域更是90%以上的IGBT器件依赖进口，IGBT国产化需求已是刻不容缓。
华为低调入场
近日，笔者从一名业内人士获得消息，华为也开始研发IGBT，目前正在从某国内领先的IGBT厂商中挖人。
据了解，凭借强大的技术优势，华为早已成为UPS电源的领军企业，占据全球数据中心领域第一的市场份额，而IGBT作为能源变换与传输的核心器件，也是华为UPS电源的核心器件。
在华为被卷入中美贸易战之前，华为海思主要研发数字芯片，并不涉及功率半导体，而华为所需的IGBT产品主要从英飞凌等IGBT原厂处采购。华为被列入实体清单后，有消息称，英飞凌在美国政府的施压下曾暂停供货，尽管英飞凌很快澄清了该传闻，并表示，其向华为提供的绝大多数产品都不受美国出口管制法限制，因此这些产品将继续供货。
虽不知英飞凌的IGBT产品是否受到出口管制的影响，但这件事显然给了华为警醒。目前，在二极管、整流管、mos管等领域，华为正在积极与安世半导体、华微电子等国内厂商合作，加大对国内功率半导体产品的采购量，而在高端IGBT领域，华为却不得不开启自研之路。
碳化硅和氮化镓都是当前功率半导体的核心技术方向，无论是英飞凌、ST等全球功率半导体巨头还是华润微、中车时代半导体等国内功率厂商都重注在该领域，同样，开始向功率半导体领域进军的华为也不例外。
根据天眼查显示，华为旗下的哈勃科技投资有限公司在今年8月份投资了山东天岳先进材料科技有限公司，持股10%。据悉，山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。
相对于传统的硅材料，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8倍；电子饱和漂移速率为硅的2倍，因此，碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压，耐大电流的高频大功率的器件。
任正非曾经说过，华为是不做股权投资的，如果投资一定是战略投资。显然，华为正在对高端功率半导体领域进行战略投入，在其强有力的资金支持和技术优势下，华为在IGBT领域定能有所突破。
IGBT国产化进程加速
除新入局的华为外，在市场需求的吸引下，早有一批具备IGBT相关经验的海外华人归国投身IGBT行业，同时国家大量资金流入IGBT行业，我国IGBT产业化水平有了一定提升，比亚迪微电子、中车时代半导体、斯达股份、士兰微等部分企业已经实现量产，在市场上也有不错的表现。
此外，近年来，原从事二极管、三级管、晶闸管等技术含量较低的功率半导体厂商，华微电子、扬杰科技、捷捷微电以及台基股份等纷纷向MOSFET与IGBT领域突围，部分下游应用厂商也向上游IGBT领域布局。
据另一业内人士表示，在国内厂商的共同努力之下，目前，白色家电、逆变器、逆变电源、工业控制等国内中低端市场已经逐步完成了国产化替代，不过，在新能源汽车、新能源发电、智能电网等要求非常高的领域，国内IGBT厂商有待突破。
在新能源汽车领域，目前，比亚迪微电子、斯达股份、上汽英飞凌等厂商的IGBT模块产品已经出货，中车时代半导体的汽车用IGBT产品也正在送样测试；在国家电网方面，除中车时代半导体的IGBT产品已进入市场外，今年10月份，国电南瑞宣布与国家电网有限公司下属科研单位全球能源互联网研究院有限公司共同投资设立南瑞联研功率半导体有限责任公司，实施IGBT模块产业化项目。
与此同时，比亚迪微电子、斯达股份等国内领先的IGBT厂商纷纷开启上市征程，期望借助资本的力量再上新台阶。显然，一场关于IGBT国产替代的“战役”正在拉开帷幕。
